Под первичными включениями понимают включения ккоторые образовались в процессе роста кристалла и расположены в соответствующей зоне роста. Если включеие захватывается после роста кристалла и не расположенно в соответствующей зоне роста, то его называют вторичным. Иногда выделяют еще один тип включений - мнимовторичные. Это включения образованные во время роста кристалла но расположенны в не зоны роста. Как правило по трещинам.

Критерии распознавания первичных включений.

1. Для включений находящихся в одном кристалле как с выраженными направлениями или зонами роста, так и без них.

1. Включения единичные (или образуют небольшие трехмерные группы) в теле кристалла, не содержащего других включений [144, рис 10, и 1460 вклейка 6].

2. Включения имеют большие размеры по отношению к размеру вмещающего их кристалла, например, приблизительно более 0.1 его диаметра; этот критерий особенно надежен, если имеется несколько таких включений.

3. Включения встречаются изолированно на расстоянии друг от друга, превышающем их диаметр более чем в 5 раз.

4. Включения являются частью их сообществ, расположенных беспорядочно в трехмерном пространстве кристалла.[1496, вклейка 4 рис. А, В].

5. Включение пересекает окружающее его закономерно расположенные дислокации; этот критерий особенно надежен, если дислокации располагаются радиально по отношению к включению[1501 рис. 9].

6. Во включениях содержатся дочерние кристаллы или случайно захваченные твёрдые включения того же состава, который имеют твердые включения в кристалле хозяине или сингенетичные ему минералы.

7. Включения расположены вдоль плоскостей двойникования [873]. Следует иметь в виду, что таким же образом могут располагаться вторичные и псевдовторичные включения (рис. 2-11).

2. Для включений находящихся в одном кристалле, имеющем признаки направлений роста.

1. Включения находятся позади относительно направления роста или иногда непосредственно перед ксеногенной твердой фазой такого же состава, как минерал-хозяин , или другого, препятствовавшей росту в местах, где минерал-хозяин не смог плотно ее обрасти. (включения могут примыкать к твёрдым фазам или находится на некотором расстоянии от них, что обусловлено несовершенством роста кристалла [1460 вклейка 1]).

2. Включения находятся на продолжении залеченных трещин, возникших в более ранние стадии кристаллизации и вызвавших несовершенства дальнейшего роста кристалла [1441, рис. 18 и 19; 1514, рис 15].

3. Включения находятся между субпараллельным блоками сложного кристалла [1460].

4. Включения находятся на пересечении нескольких спиралей роста или в центре спирали, видимой на внешней поверхности кристалла.

5. Включения, особенно имеющие относительно крупные размеры и уплощённую форму, располагаются параллельно внешним граням кристалла около их центральных участков (т.е. образуются в центральных частях граней кристалла в результате голодания, возникшего при их росте ), например во многих воронкообразных кристаллах соли.

6. Включения находятся в центральных частях столбчатых кристаллов, например берилла. Они могут представлять собой просто крайний случай включений, описанных в пред. пункте.

7. Включения располагаются вдоль границ между двумя растущими участками; значимость критерия усиливается, если включения расположены в ряд.

3. Для включений, находящихся в одном кристалле, в котором выделяются зоны роста (по цвету, степени прозрачности, составу, потемнению под действием рентгеновского излучения, по захваченным твёрдым включениям, подверженности выщелачиванию, наличию экссолютционных фаз и т.д.).

1. Включения распределены беспорядочно и содержатся в разных количествах в соседствующих зонах ( в результате внезапного возрастания скорости перистого или дендритового роста).

2. Включения располагаются в виде субпараллельных групп (подчёркивающих направление роста), в особенности, если они содержаться в разных количествах в соседствующих зонах, как это указывалось и в предыдущем пункте [1441, рис.11].

3. Включения имеют сложную картину распределения в плоскости (или плоскостях), подчёркивая зоны роста [1496 вклейка 4Е]. (Если эта плоскость совпадает с направлением спайности, то этот критерий становится неопределённым).

4. Включения приурочены к поверхности выщелачивания, которая временно прерывала нормальный рост кристалла.
5. Включения расположенные в

4. Для включений образовавшихся из гетерогенного (т.е. двухфазового ) или имеющих другое распределение в зонах роста, причем состав включений в соседних зонах различен (например , в одной зоне находятся газовые включения, а в другой – водные [1514, рис.9].

1. Включения располагаются в плоскостях (как в п 3.3), или имеют другое распределение в зонах роста, причем состав включений в соседних зонах различен (например, в одной зоне находятся газовые включения, а в другой – жидкие или в одной –нефтяные, а в другой водные[1514, рис9].

2. Включения располагаются в плоскостях как в п.3.3, и захват ими определённых порций минералообразующей среды происходил в тех участках, где кристалл-хозяин обрастал налипающие шарики несмешивающейся дисперсной фазы (например, капельки нефти или пузырьки пара).

3. Включения, по всем признакам являющиеся первичными, но содержащие флюидную фазу, которую невозможно представить как минералообразующую среду, например ртуть в кальците, или нефть во флюорите [1460, вклейка9, рис 2] , или воздух в синтетических кристаллах сахарозы (1460 вклейка 9 рис.4).

5. Для включений, не находящихся в одном кристалле (т.е. для интеркристаллических включений).
1. Включения,находящиеся на общей поверхности роста двух непараллельных кристаллов ( у таких включений обычно наблюдается утечка их содержимого , и они к тому же могут быть вторичными).

2. Включения, располагающиеся между группой кристаллов. Например в поровых пространствах тонкозернистых доломитов, в пустотах халцедоновых жеод (т.н. “энгидросы”), в пустых полостях базальтов, в выстланных кристаллами пустотах в рудных телах и пегматитах. (в последних двух случаях включения являются самыми крупными из известных “включений” и у них почти всегда наблюдается утечка содержимого).

3. Включения, находящиеся в некристаллических образованиях (например, пузыри в янтаре или пемзе).
6. Для включений определенной формы и размера.
1. Включения имеют более крупные размеры и (или) изометрическую форму в отличие от других включений в данном образце.

2. Включения имеют форму отрицательных кристаллов.Этот критерий действителен только для некоторых определённых образцов. В других случаях отрицательную форму могут иметь как первичные, так и вторичные включения или только вторичные.

7. Включения находятся в идиоморфных кристаллах, образовавшихся в пустоте (этот критерий является только положительным и может далеко не всегда соответствовать действительности (1445, с.523)).

Критерий распознания вторичных включений.

1. Включения располагаются группами в плоскостях, представляющие собой залеченные трещины, плоскости спайности и др. выходящие на поверхность кристалла ( следует отметить, что явление перекристаллизации может приводить к нарушению характера их распределения(1456, рис. 11; см п. 3.3)).

2. Включения очень тонкие, уплощенные и затронутые процессом расшнуровывания (отметим, что расшнуровывание может наблюдаться в первичных, вторичных и псевдовторичных включениях, как на фоне снижения температуры, так и в изотермических условиях).

3. Включения распределяются в плоскости, отличающихся по своему составу от состава других частей кристалла, как это выясняется, например при катодолюминисценции (1691, 471).
4. Первичные включения, имеющие заполнение, соответствующее вторичным условиям
1. Включения располагаются во вторичных залеченных трещинах, и они , вероятно, были перекристаллизованы более поздними флюидами(842).

2. Включения, растрескавшиеся и вновь залеченные после выдержки при более высоких температурах или более низких давлениях, чем те, которые существовали во время захвата. При этом включения могут сохранять первоначальное наполнение, но оно будет иметь более низкую плотность (1440, рис. 18).

5. Включения, температура гомогенизации которых, оказывается значительно ниже, чем у соседних в тоже зоне роста первичных включений (исходя из соображений, что если бы образовавшиеся ранее первичные включения имели более низкую Тг), то они должны были бы растрескаться в условиях повышенных температур, существовавших в последующие стадии роста. Однако следует заметить, что, во-первых, первичные и псевдовторичные включения на поздних стадиях роста могут образовываться и при более низких температурах, а во вторых, что Тг первичных включений может возрастать в процессе роста, что будет предохранять их от растрескивания в достаточно высокотемпературных вторичных условиях.

Критерии распознавания псевдовторичных включений.

1. включения расположены таким же образом , как и вторичные, но внешнее окончание трещины, в которой они находятся, явно ограничивается поверхностью роста, заключенной внутри кристалла (1441, рис. 18 и 19; 1514 рис. 12, 14 и 15) см. п. 3.3. Включения часто имеют заострённую форму и наиболее крупные из них располагаются ближе к внешнему концу трещины.

2. Включения обычно в большей степени стремятся к изометрическим формам и формам отрицательных кристаллов, чем это наблюдается у вторичных включений в том же самом образце (критерий только предположительный).

3. Включения образованы в результате перекрывания каверн выщелачивания, пересекающие зоны роста.(1460, вклейка 1, рис.8).

Начало

Copyright ©1999 Levin

Сайт создан в системе uCoz